Samsung MZ-VAP1T0 1 TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC

Samsung MZ-VAP1T0. SDD, capacidad: 1 TB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 14700 MB/s, Velocidad de escritura: 13300 MB/s, Componente para: PC/ordenador portatil

ESPECIFICACIONES TÉCNICAS
- Factor de forma de disco SSD: M.2
- SSD: 1 TB
- Interfaz: PCI Express 5.0
- Tipo de memoria: V-NAND TLC
- NVMe: Si
- Componente para: PC/ordenador portatil
- Encriptacion de hardware: Si
- Velocidad de lectura: 14700 MB/s
- Velocidad de escritura: 13300 MB/s
- Algoritmos de seguridad soportados: 256-bit AES
- Lectura aleatoria (4KB): 1850000 IOPS
- Escritura aleatoria (4KB): 2600000 IOPS
- Tiempo medio entre fallos: 1500000 h
- Soporte S.M.A.R.T.: Si
- Soporte TRIM: Si
- Ancho: 80,2 mm
- Profundidad: 2,38 mm
- Altura: 22,1 mm
- Peso: 9 g
- Voltaje de operacion: 3,3 V
- Average power consumption (read): 7,6 W
- Average power consumption (write): 7,2 W
- Intervalo de temperatura operativa: 0 - 70 ?C
- Golpes en funcionamiento: 1500 G
- Tipo de embalaje: Caja